Компания Numonyx, совместное предприятие Intel Corp. и ST Microelectronics, представила общественности первые интегральные микросхемы памяти, основанные на явлении фазового перехода - Phase Change Memory. Именно этот тип памяти потенциально должен заменить на рынке флеш-память, превосходя ее по таким параметрам, как быстродействие, информационная емкость, и должна найти применение во многих потребительских электронных аппаратах, персональных компьютерах и встраиваемых системах.
В основу памяти на фазовом переходе положено явление изменения
материалом, в данном случае халькогенидным стеклом, своего состояния -
под действием внешних факторов материал может "переключаться" между
аморфным и кристаллическим состояниями. Одно из них принимается за
логическую единицу, второе - логический "нуль". Причем потенциал
устройств таков, что они в будущем могут использоваться для постоянного
хранения информации (замена флеш-памяти), и являться временным
хранилищем данных с очень низким временем доступа (замена современной
оперативной памяти).
Согласно заявлениям компании Numonyx, их новые интегральные микросхемы
оказываются в триста раз быстрее современных интегральных микросхем
флеш-памяти, и имеют на порядок больший ресурс работы. Выпущены два
варианта микросхем памяти: Omneo P5Q и Omneo P8P. Первые представляют
собой интегральные микросхемы NOR-памяти, изготовленные по 90-нм
технологическому процессу. Именно они и имеют увеличенную в триста раз
скорость доступа к данным, по сравнению с традиционной флеш-памяти.
Вторая модель представляет собой интегральную микросхему памяти емкостью
128 Мбит, и изготавливается по тому же 90-нм техпроцессу. Оба варианта
сегодня поставляются на мировой рынок.
По всей видимости, на первых порах память на основе фазового перехода
будет проигрывать своим конкурентам в плане стоимости и емкости, но
постепенно технология их изготовления будет усовершенствоваться, и
вскоре общественности будут представлены продукты, которые смогут
поспорить с флеш и оперативной памятью.